Gilauman ang Silicon Carbide alang sa mga bag-ong awto sa enerhiya

Ang Silicon kanunay nga kasagaran gigamit nga materyal alang sa paghimo sa mga semiconductor chips, labi na tungod sa dako nga reserba sa silikon, ang gasto medyo gamay, ug ang pag-andam medyo yano. Bisan pa, ang aplikasyon sa Silicon sa natad sa Optoelectronics ug high-frequency high-power nga mga aparato gipugngan, ug ang pasundayag sa Silicon sa taas nga mga frequency dili maayo, nga dili angay alang sa mga aplikasyon sa high-boltahe. Kini nga mga limitasyon nakapalisud alang sa mga aparato nga nakabase sa silikon aron matubag ang mga panginahanglan sa mga mitumaw nga mga aplikasyon sama sa bag-ong mga sakyanan sa enerhiya alang sa taas nga kusog ug taas nga frequency.

Sa kini nga konteksto, ang Silicon carbide nakaabut sa sulud sa sulud. Kung itandi sa una ug ikaduha nga henerasyon nga mga materyales sa semiconductor, ang SIC adunay usa ka serye nga maayo kaayo nga mga kabtangan sa electric, dugang pa sa taas nga pagbuto sa electric field, taas nga pagbuto sa kusog nga pagbuto sa electric, taas nga pagbuto sa kusog nga pagbuto sa electric, taas nga pagbuto sa kusog nga pagbuto sa electric, taas nga pagbuto sa kusog nga pagbuto sa electric, dugang nga pagbuto sa kusog nga pagbuto sa electric, taas nga pagbuto sa kusog nga pagbuto sa electric, adunay taas nga pagbuto sa electron electry, taas nga thermal condichathy, taas nga thermal conduction ug taas nga paglihok. Ang kritikal nga pagkahugno sa electric field sa SIC 10 ka beses nga sa SI ug 5 nga beses sa mga taga-Gaas, nga nagpalambo sa kusog nga mga aparato sa boltahe, ug ang karon nga kapakyasan sa pagkawala sa mga aparato sa SIC. Inubanan sa usa ka mas taas nga thermal conductivity kaysa CU, ang aparato wala magkinahanglan dugang nga mga aparato sa pag-undang sa kainit nga gamiton, pagkunhod sa kinatibuk-ang gidak-on sa makina. Gawas pa, ang mga aparato sa SIC adunay kaayo nga pagkawala sa pagkalugi ug mahuptan ang maayo nga pasundayag sa kuryente sa mga frequenies sa ultra-high. Pananglitan, ang pagbag-o gikan sa usa ka tulo nga lebel nga solusyon nga nakabase sa SI Device sa usa ka duha nga lebel nga solusyon nga gibase sa SIC mahimo'g madugangan ang pagkaayo gikan sa 96% hangtod sa edad nga 40%. Busa, ang mga aparato sa SIC adunay daghang mga bentaha sa low-gahum, miniaturized ug high-frequency nga aplikasyon.

Itandi sa tradisyonal nga silicon, ang paggamit sa Silicon Carbide labi ka maayo kaysa sa Silicon, nga adunay taas nga presyur, taas nga kusog, ug uban pang mga kondisyon, ug ang karon nga kusog nga silicon nga gipadapat sa Mga aparato ug mga aparato sa gahum sa RF.

Ang mga materyal nga materyal sa Silicon nga makahimo sa gidak-on sa aparato gamay ug gamay, ug ang pasundayag nagkakusog ug mas maayo, busa sa bag-ohay nga mga tuig, gipalabi kini sa mga tiggama sa awto. Matod ni Rohm, usa ka 5kw llcdc / DC converter, ang Power Control Board gipulihan sa Silicon Carbide imbis nga ang gibug-aton nga mga aparato sa Silicon, ang gibug-aton sa 7kg hangtod sa 875Kg, ug ang gidaghanon mikunhod gikan sa 875Kg, ug ang gidaghanon sa pagkunhod gikan sa 8755cc nga 450cc. Ang gidak-on sa SIC nga aparato lamang ang 1/10 sa kana nga Silicon nga aparato sa parehas nga detalye, ug ang pagkawala sa pagkawala sa SI CARBIT MosFet System dili kaayo 1/4 sa Igbet-based IgBt, nga mahimo usab Pagdala mga hinungdan nga pagpaayo sa pasundayag sa produkto sa katapusan.